一、简介
董鑫，吉林大学“唐敖庆学者”英才教授，博士生导师。2002年毕业于吉林大学物理学院，获理学学士学位；同年考入吉林大学电子科学与工程学院攻读硕士学位；2005年考入大连理工大学物理与光电工程学院，攻读博士学位。2008年毕业后来校工作。2013年5月至2014年5月赴美国北卡罗来纳州立大学工程学院从事访问学者工作。在宽禁带半导体领域共发表论文一百余篇；获国家发明专利授权十余项；主持或参与国家重点研发计划项目、国家自然科学基金项目、gf预研项目、吉林省科技发展计划项目、吉林省自然科学基金项目等10余项，科研经费总额500余万元；获吉林大学教学质量奖，吉林大学师德先进个人。
二、研究方向
从事宽禁带半导体材料ga2o3、gan及相关材料的mocvd生长、表征及相关光电器件、功率器件的制备与研究工作。
三、承担科研项目及获奖
1、科技部重点研发计划课题，氧化镓外延薄膜与掺杂，2022/11-2025/10，300万元，主持
2、gf装备预先研究项目， *****单晶材料研究，2020/10-2022/09，100万元，主持
3、国家自然科学基金项目，高耐压、低损耗的si衬底ga2o3 mosfet器件制备研究，2018/01-2021/12，75.6万元，主持
4、吉林省科技厅重点科技攻关项目，gan 基解理腔蓝、绿光激光器的研制，2017/01-2019.12，50万元，主持
5、gf科工局稳定支持项目，超宽禁带ga2o3新型器件技术研究，2019/10-2021/06，30万元，主持
6、gf重点实验室基金项目，ga2o3 材料的高温金属有机化学气相沉积外延生长技术研究 ，2018/01-2019/12，21万元，主持
7、吉林省自然科学基金面上项目，p型纳米结构氧化镓薄膜制备研究，2023/01-2025/12，5万元，主持
四、讲授课程
本科生：半导体物理学
研究生：先进半导体器件
五、代表性工作及论文
1、“selective-area growth of β-ga2o3 nanowire films on nano-patterned si(111) substrate by metal-organic chemical vapor deposition”， ceramics international 49 (2023) 22170–22176
2、“surface morphology evolution and optoelectronic properties of heteroepitaxial si-doped β-ga2o3 thin films grown by metal-organic chemical vapor deposition”, ceramics international 44 (2018) 3122–3127
3、“preparation of high light-trapping β-ga2o3 nanorod films via thermal oxidation of gaas and metal-organic chemical vapor deposition”，materials science in semiconductor processing 169 (2024) 107912
4、“self-powered schottky barrier photodiodes based on homoepitaxial ga2o3 film”，materials letters 349 (2023) 134847
5、“self-powered flexible uv photodetectors based on mocvd-grown ga2o3 films on mica”，materials science in semiconductor processing 165 (2023) 107706
6、“fabrication of ga2o3 schottky barrier diode and heterojunction diode by mocvd”，materials 15（2022）8280
7、“preparation of high-thickness n--ga2o3 film by mocvd”，coatings 12（2022） 645
8、“solar-blind ultraviolet photodetectors based on homoepitaxial β-ga2o3 films”，optical materials 122 (2021) 111665
9、“stable electron concentration si‐doped β‐ga2o3 films homoepitaxial growth by mocvd”，coatings 11（2021）589
10、“single crystalline β-ga2o3 homoepitaxial films grown by mocvd”，vacuum 178 (2020) 109440
六、报考要求
招收对半导体物理与器件专业有较浓厚兴趣，理论基础扎实，刻苦钻研，动手能力强，具有团队意识的硕士与博士生。微电子学、电子科学与技术、物理学等专业背景优先。
七、毕业生去向
课题组的毕业生主要去向高等院校，科研院所，半导体器件、芯片制造等高技术企业。
八、凯发国际网站官网下载的联系方式
办 公 室：吉林大学前卫南区唐敖庆楼d区433房间
电 话：(0431)85168241-8433
e-mail：dongx@jlu.edu.cn
